全球UVC LED芯片市場前10強生產商排名中科潞安排名第八
發(fā)布時間：
2024-04-12
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紫外LED一般指發(fā)光中心波長在405 nm以下的LED，LED業(yè)界通常將發(fā)光波長位于355～405 nm時稱為近紫外LED，而短于280 nm時稱為深紫外LED。目前在LED的研究和生產中用到最多的材料GaN的禁帶寬度為3.4 eV，對應的發(fā)光波長為365 nm，剛好處于近紫外波段范圍，因此，近紫LED中一般采用GaN作為基材。而深紫外LED通過在基材GaN中添加A l 擴大帶隙，獲得更短的發(fā)光波長。
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全球UVC LED芯片市場前10強生產商排名中科潞安排名第八
紫外LED一般指發(fā)光中心波長在405 nm以下的LED，LED業(yè)界通常將發(fā)光波長位于355～405 nm時稱為近紫外LED，而短于280 nm時稱為深紫外LED。目前在LED的研究和生產中用到最多的材料GaN的禁帶寬度為3.4 eV，對應的發(fā)光波長為365 nm，剛好處于近紫外波段范圍，因此，近紫LED中一般采用GaN作為基材。而深紫外LED通過在基材GaN中添加A l 擴大帶隙，獲得更短的發(fā)光波長。
2023-12-22
近十年來，隨著紫外固態(tài)器件的外延生長、制備工藝以及封裝技術的快速發(fā)展，基于日盲區(qū)LED的紫外光通信光源憑借高帶寬、易于攜帶、無毒環(huán)保的優(yōu)點逐步取代了傳統(tǒng)的汞燈、氣體放電燈等光源。Micro-LED是新興的工藝技術，它可以實現更大更均勻的注入電流密度，有利于研究大注入狀態(tài)LED物理現象。特別是近幾年，UVC Micro-LED在紫外光通信、顯示等領域中展現出了廣闊的應用前景，引起了人們的關注和研究熱情。
2023-12-22
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